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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ultra c sic

第4講：SiC的物理特性

  • 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢。此外，由
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  

第5講：SiC的晶體缺陷

  • SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質(zhì)量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
  • 關鍵字： 三菱電機  SiC  

6.6 kW車載電動汽車充電器設計

  • 我們采用單全橋LLC拓撲結(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數(shù)據(jù)表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動器。
  • 關鍵字： 車載電動汽車充電器  NVHL060N090SC1  SiC   

羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應用于吉利集團電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

  • 8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上，賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標志、賽事獎牌等相關內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會；武漢市社會體育指導中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長繆璐進行江夏區(qū)文旅推介，向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

MCX C系列簡介：使用高能效、高性價比的MCU提升設計

  • 恩智浦推出MCX C系列，進一步豐富MCX微控制器產(chǎn)品組合。MCX C系列不僅為低成本應用設計，還具有高能效和可靠的性能，進一步豐富整個MCX產(chǎn)品組合?；贏rm? Cortex?，高性價比、高能效秉承在MCU領域深厚的技術積累，并著眼于未來，恩智浦自豪宣布推出MCX C系列——一款高性價比、高能效的Cortex-M0+MCU，承諾長達15年持續(xù)供貨，旨在助力8位和16位傳統(tǒng)設計的升級換代。MCX C系列專為滿足入門級工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)市場的需求而設計，為廣泛的應用場景打開了大門。無論是中小家用電器、家庭安全監(jiān)
  • 關鍵字： MCU  NXP  恩智浦  MCX C   微控制器  

USB Type-C引腳信號及PCB布局布線介紹

  • USB Type-C是USB連接器系統(tǒng)的規(guī)范，在智能手機和移動設備上越來越受歡迎，并且能夠進行電力傳輸和數(shù)據(jù)傳輸。與USB的早些產(chǎn)品不同，它也是可翻轉(zhuǎn)的 - 所以你不需要嘗試多次插入。01什么是USB-Type-CUSB-C是一種相對較新的標準，旨在提供高達10Gb/s的高速數(shù)據(jù)傳輸以及高達100W的功率。這些功能可以使USB-C成為現(xiàn)代設備的真正通用連接標準。02功能介紹USB-C接口有三個主要功能：● 它有一個可翻轉(zhuǎn)的連接接口。接口的設計使插頭可以相對于插座翻轉(zhuǎn)。● 它支持USB 2.0、USB 3.
  • 關鍵字： Type-C  連接器  

Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設計，可將溫度降低30%，采用集成半有源橋，效率高達96%

  • 位于英國劍橋的電力電子技術創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設計，該設計旨在解決電源中的復雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設計中所未有的獨特功能和優(yōu)勢組合，必將徹底改變USB-C快速充電領域。 PSV-RDAD-65USB參考設計將Pulsiv OSMIUM技術與行業(yè)標準的準諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結(jié)合。它能大幅降低工作溫度、盡量減小損耗并縮小尺寸，引領了一系列突破功率轉(zhuǎn)換現(xiàn)有邊界的設計，旨在打造一個可持續(xù)的U
  • 關鍵字： Pulsiv  USB-C  半有源橋  

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

  • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
  • 關鍵字： 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

第三代半導體，距離頂流差了什么

  • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
  • 關鍵字： GaN  SiC  

悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

  • 7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發(fā)上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶的量產(chǎn)訂單，并會在今年四季度實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規(guī)級功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
  • 關鍵字： 悉智科技  DCM封裝  8并  SiC  

電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術

  • 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉(zhuǎn)變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
  • 關鍵字： 電動汽車  光伏逆變器  SiC  

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

  • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
  • 關鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證

  • 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
  • 關鍵字： 瞻芯電子  SiC  MOSFET  車規(guī)認證  

編程語言榜單：C++首次超越C，僅次榜首Python

  • 在本月的 TIOBE 榜單中，出現(xiàn)了歷史性一幕：C++ 史上首次超越 C，躍升至榜單第二，僅次于 Python —— 這是 C++ 在此榜單中的歷史最高位，亦是 C 語言的歷史最低位。根據(jù)本月榜單數(shù)據(jù)可以看出，C++ 和 Python 是唯二市場占比超過 10% 的編程語言，而 C++ 與 C 語言相差 0.8%。雖然差距看似不大，但從 C 語言近一年來持續(xù)下滑的占比趨勢來看，此次 C++ 登上榜二或許并不意外。C++ 的發(fā)展歷程自 C++ 誕生之初，它就被譽為更好的面向?qū)ο蟮?C 語言版本。想到這一點，
  • 關鍵字： 編程語言  C++  C語言  Python  
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